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氮化镓(GaN)快速充电器的设计挑战

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氮化镓(GaN)快速充电器的设计挑战

发布日期:2020-04-11          作者:手机充电器生产厂家          点击:

  在采用氮化镓的设计中,必须要利用好其高频特性才有意义。换言之,就是要大幅度提高频率,才能更好地发挥GaN的价值。而频率的大幅度提高,会给设计带来很多问题,如系统热设计、EMI处理、合适的磁性材料、PCB布局,以及其它寄生参数在高频下带来的不确定性等。总的来说,如何在大幅度提高频率的同时,避免过多效率损失,并平衡系统可靠性、EMI合规、成本和可制造性,这些都需要经验丰富的工程团队进行PCB布局和滤波器设计,也是工程师智慧的具体体现。


氮化镓器件充电器设计挑战主要包括:


1.系统拓扑结构(QR、ACF及LLC)。不同的拓扑结构有不同的控制及驱动方面的挑战,而且氮化镓器件更快的开关速度也对PCB走线设计提出了更高的要求;


2.高频下的EMI问题。如何优化设计才能达到传导和辐射EMI测试要求;


3.氮化镓器件驱动(集成驱动/分离器件)。因为氮化镓器件的驱动比硅器件要求更高,需要应对驱动所带来的各种挑战;


4.器件封装设计及(单/双面)散热的要求;


5.器件及系统可靠性。


  PI的Doug Baileybshi进一步解释说,客户希望从氮化镓技术中受益,但又不想花费时间学习如何驱动氮化镓晶体管。PI就将完整的开关电源IC方案所需的关键元件都封装在一个芯片上,就是PowiGaN InnoSwitch 3系列恒压/恒流离线反激开关电源IC。该器件采用外形小巧、大爬电距离且符合安规的InSOP-24D封装。


本文网址:http://www.guan-zhuo.cn/news/443.html

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